非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邵久安 ; 邹元燨 ; 彭瑞伍 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 根据室温和77K下电学性质测试数据,计算了非掺杂VPEGaAs材料中空间电荷中心密度与散射截面积的乘积N_(SO)A,然后从N_(SO)A分别与N_D及μ_(300K)间的关系,推测空间电荷散射中心是某种Si_G_S-(O_1,V_1)型的络合物.结合本工作,为了在AsCl_3欠纯的情况下获得适当纯度的外延层,在气相外延系统中装入去硫装置,有效地抑制了硫、硒等杂质,附带发现该装置对碳的去除也有一定效果. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105825]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵久安,邹元燨,彭瑞伍. 非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究[J]. 应用科学学报,1986(01). |
| APA | 邵久安,邹元燨,&彭瑞伍.(1986).非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究.应用科学学报(01). |
| MLA | 邵久安,et al."非掺杂气相外延GaAs层中空间电荷散射中心的研究".应用科学学报 .01(1986). |
入库方式： OAI收割
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