非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; H.Daembkes ; K.Heime |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用非共晶组份Au/Ge合金做n型GaAs欧姆接触.系统测定了不同Au,Ge厚度做欧姆接触的比接触电阻值.以150A|°Ge/2000—2500A|°Au的配比,在400℃,10min(实际是3min)下合金化,其比接触电阻值能与文献报道的数据相比较,且表面很平.这有利于栅长≤1μm场效应管的光刻,且能改进器件性能与成品率.用作在高阻衬底上以扩散法制备n沟道场效应管的欧姆接触,改进的器件性能在栅长是1.2μm,栅宽150μm时,跨导8m达29m3.另一个样品在栅长1.3μm,栅宽300μm时,fmax=21 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105828]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,H.Daembkes,K.Heime. 非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET[J]. 半导体学报,1984(01). |
| APA | 吴鼎芬,H.Daembkes,&K.Heime.(1984).非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET.半导体学报(01). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET".半导体学报 .01(1984). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。