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非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET

文献类型:期刊论文

作者吴鼎芬 ; H.Daembkes ; K.Heime
刊名半导体学报
出版日期1984
期号01
ISSN号0253-4177
中文摘要用非共晶组份Au/Ge合金做n型GaAs欧姆接触.系统测定了不同Au,Ge厚度做欧姆接触的比接触电阻值.以150A|°Ge/2000—2500A|°Au的配比,在400℃,10min(实际是3min)下合金化,其比接触电阻值能与文献报道的数据相比较,且表面很平.这有利于栅长≤1μm场效应管的光刻,且能改进器件性能与成品率.用作在高阻衬底上以扩散法制备n沟道场效应管的欧姆接触,改进的器件性能在栅长是1.2μm,栅宽150μm时,跨导8m达29m3.另一个样品在栅长1.3μm,栅宽300μm时,fmax=21
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105828]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴鼎芬,H.Daembkes,K.Heime. 非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET[J]. 半导体学报,1984(01).
APA 吴鼎芬,H.Daembkes,&K.Heime.(1984).非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET.半导体学报(01).
MLA 吴鼎芬,et al."非共晶Au/Ge欧姆接触工艺改善扩散法n沟道GaAs MESFET".半导体学报 .01(1984).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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