非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵建平 ; 王曦 ; 陈智颖 ; 杨石奇 ; 柳襄怀 ; 施天生 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高ｓｐ３含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于２０Ｖ／μｍ情况下，得到的场发射电流达２０—４０μＡ，薄膜的电子发射行为符合ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ场发射理论．研究表明，这种非晶金刚石薄膜具有负的电子亲合势和较小的有效功函数以及相对较低的禁带宽度 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105836]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵建平,王曦,陈智颖,等. 非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究[J]. 物理学报,1997(07). |
| APA | 赵建平,王曦,陈智颖,杨石奇,柳襄怀,&施天生.(1997).非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究.物理学报(07). |
| MLA | 赵建平,et al."非晶金刚石薄膜的场致电子发射性能研究".物理学报 .07(1997). |
入库方式： OAI收割
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