分子束外延GaAs中的Sn受主态
文献类型：期刊论文
| 作者 | 忻尚衡 ; L.F.Eastman |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰分别为束缚在中性Sn受主上的电子空穴对的辐射复合(S_n~o,X)和自由电子与束缚空穴间的跃迁(D~o,S_n~o). |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105867]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 忻尚衡,L.F.Eastman. 分子束外延GaAs中的Sn受主态[J]. 半导体学报,1985(05). |
| APA | 忻尚衡,&L.F.Eastman.(1985).分子束外延GaAs中的Sn受主态.半导体学报(05). |
| MLA | 忻尚衡,et al."分子束外延GaAs中的Sn受主态".半导体学报 .05(1985). |
入库方式： OAI收割
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