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富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常

文献类型:期刊论文

作者宋志棠 ; 林成鲁 ; 任巍 ; 张良莹 ; 姚熹
刊名功能材料与器件学报
出版日期1999
期号01
ISSN号1007-4252
中文摘要采用金属有机物热分解法制备了不同Pb过量的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.观测到Ph过量PZT薄膜电滞回线束腰与C-V曲线四峰的异常现象,其异常程度随时间加剧.这是薄膜样品在晶界和界面上的PbO2相所诱导的陷阱电荷对电畴产生钉扎的结果.陷附电荷对电畴的钉扎程度与陷阱电荷的密度以及陷附电荷与电畴的作用状况有关,通过改变晶界处的陷阱电荷的密度与分布可改变薄膜电性能的异常程度.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105894]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
宋志棠,林成鲁,任巍,等. 富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常[J]. 功能材料与器件学报,1999(01).
APA 宋志棠,林成鲁,任巍,张良莹,&姚熹.(1999).富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常.功能材料与器件学报(01).
MLA 宋志棠,et al."富Pb的PZT铁电薄膜电性能异常".功能材料与器件学报 .01(1999).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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