改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫培根 ; 范向群 ; 周炎德 ; 吴巨 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 本文提出了改进的低压LEC/PBN法获得稳定的熔体化学计量比的条件,研究了晶体的电学性质、位错密度、C含量及EL2浓度等特性,并考察了高温热处理对晶体特性的影响. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105900]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫培根,范向群,周炎德,等. 改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶[J]. 固体电子学研究与进展,1990(01). |
| APA | 莫培根,范向群,周炎德,&吴巨.(1990).改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶.固体电子学研究与进展(01). |
| MLA | 莫培根,et al."改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶".固体电子学研究与进展 .01(1990). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。