高纯三乙基铝和三乙基镓的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陆凤贞 ; 丁永庆 ; 王嘉宽 ; 彭瑞伍 ; 任尧成 ; 涂嘉浩 ; 张锡卿 |
| 刊名 | 化学世界
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| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 0367-6358 |
| 中文摘要 | <正> 一、引言随着半导体工业的日益发展,材料制备工艺已朝着简便和有效的方向发展,金属有机化学气相沉积(Metalorganic ChemicalVapor Deposition——MOCVD)具有操作简单灵活和生长温度低等特点,已成为目前国际上生长各种新型结构的Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体材料中最令人关注的一项新工艺。而MOCVD 工艺中需要的关键原材料之一—— |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105932]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆凤贞,丁永庆,王嘉宽,等. 高纯三乙基铝和三乙基镓的研究[J]. 化学世界,1986(07). |
| APA | 陆凤贞.,丁永庆.,王嘉宽.,彭瑞伍.,任尧成.,...&张锡卿.(1986).高纯三乙基铝和三乙基镓的研究.化学世界(07). |
| MLA | 陆凤贞,et al."高纯三乙基铝和三乙基镓的研究".化学世界 .07(1986). |
入库方式： OAI收割
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