高剂量N~＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 辛火平 ; 石晓红 ; 朱宏 ; 林成鲁 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | CN 311342TL |
| 中文摘要 | 研究了利用高剂量的Ｎ＋注入碳膜形成氮化碳ＣＮｘ的可能性。对这种新材料进行了傅里叶变换红外吸收光谱、Ｘ射线光电子能谱、Ｘ射线衍射和薄膜的维氏显微硬度等测量。结果表明，在１００ｋｅＶ高剂量Ｎ＋注入碳膜过程中形成了含有碳氮共价键成分的ＣＮｘ化合物。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105937]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辛火平,石晓红,朱宏,等. 高剂量N~＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究[J]. 核技术,1996(02). |
| APA | 辛火平,石晓红,朱宏,林成鲁,&邹世昌.(1996).高剂量N~＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究.核技术(02). |
| MLA | 辛火平,et al."高剂量N~＋注入碳膜形成氮化碳CN_x的研究".核技术 .02(1996). |
入库方式： OAI收割
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