高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钱佑华 ; 冷静民 ; 林成鲁 ; 邢昆山 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | K1 SOM 高剂量B~+注入 应力 Fano线形 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用Raman光谱测量了高剂量B~+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两种不同的样品区域,来分辨晶化与重掺各目对Raman散射的贡献.对光谱特征随退火功率的变化以及Fano线形问题,作了初步的分析讨论. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105939]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钱佑华,冷静民,林成鲁,等. 高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱[J]. 半导体学报,1989(06). |
| APA | 钱佑华,冷静民,林成鲁,&邢昆山.(1989).高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱.半导体学报(06). |
| MLA | 钱佑华,et al."高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱".半导体学报 .06(1989). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。