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高速电子器件MOCVD材料的研究动态

文献类型:期刊论文

作者莫金玑
刊名稀有金属
出版日期1994
期号03
ISSN号02587076
中文摘要阐述了MESFET、HEMT和HBT等高速电子器件的MOCVD材料的研制现状,对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延GaAs的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105958]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
莫金玑. 高速电子器件MOCVD材料的研究动态[J]. 稀有金属,1994(03).
APA 莫金玑.(1994).高速电子器件MOCVD材料的研究动态.稀有金属(03).
MLA 莫金玑."高速电子器件MOCVD材料的研究动态".稀有金属 .03(1994).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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