高速电子器件MOCVD材料的研究动态
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫金玑 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 02587076 |
| 中文摘要 | 阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105958]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫金玑. 高速电子器件MOCVD材料的研究动态[J]. 稀有金属,1994(03). |
| APA | 莫金玑.(1994).高速电子器件MOCVD材料的研究动态.稀有金属(03). |
| MLA | 莫金玑."高速电子器件MOCVD材料的研究动态".稀有金属 .03(1994). |
入库方式： OAI收割
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