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高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究

文献类型:期刊论文

作者田亮光 ; 朱南昌 ; 陈京一 ; 李润身 ; 许顺生 ; 周国良
刊名物理学报
出版日期1991
期号03
ISSN号1000-3290
中文摘要本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi(1-x)/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi(1-x)/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105963]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
田亮光,朱南昌,陈京一,等. 高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究[J]. 物理学报,1991(03).
APA 田亮光,朱南昌,陈京一,李润身,许顺生,&周国良.(1991).高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究.物理学报(03).
MLA 田亮光,et al."高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究".物理学报 .03(1991).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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