高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 柳襄怀 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | K1 晶态α-Si_3N_4 高温注入 多次N+注入 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 其他题名 | T1 高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究 |
| 中文摘要 | 在1000℃高温下,经多次N+注入硅形成了晶态α-si_3N_4省去了常规SOI技术中的高温长时间热退火工艺。这对于简化工艺步骤、降低工艺温度和缩短工艺时间有实际意义。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105969]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳襄怀. 高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究[J]. 电子学报,1992(08). |
| APA | 柳襄怀.(1992).高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究.电子学报(08). |
| MLA | 柳襄怀."高温多次N~+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究".电子学报 .08(1992). |
入库方式： OAI收割
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