高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李金华 ; 林成鲁 ; 林梓鑫 ; 薛才广 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | SIMOX/SOI样品在1000～1200℃的高温H_2气氛中作不同时间(5—30分)的烘烤。结果,SOI结构受到了不同程度的损伤。测试结果表明,这种损伤包括:高温H_2使SOI结构顶层Si中缺陷的扩展,高温H_2使埋层SiO_2分解和分解后的O_2(或H_2O)在外释过程中造成表层单晶Si的损伤。高温H_2对SIMOX结构的这种损伤对SIMOX/SOI的外延是不利的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105975]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金华,林成鲁,林梓鑫,等. 高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤[J]. 半导体学报,1993(01). |
| APA | 李金华,林成鲁,林梓鑫,薛才广,&邹世昌.(1993).高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤.半导体学报(01). |
| MLA | 李金华,et al."高温氢气氛对SIMOX/SOI结构的损伤".半导体学报 .01(1993). |
入库方式： OAI收割
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