高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵福川 ; 夏冠群 ; 杜立新 ; 谈惠祖 ; 莫培根 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105977]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵福川,夏冠群,杜立新,等. 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响[J]. 半导体学报,1999(07). |
| APA | 赵福川,夏冠群,杜立新,谈惠祖,&莫培根.(1999).高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响.半导体学报(07). |
| MLA | 赵福川,et al."高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响".半导体学报 .07(1999). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。