高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭康瑾 ; 陈启玙 ; 徐少华 ; 陈瑞璋 ; 张晓平 ; 肖德元 ; 朱黎明 ; 胡道珊 ; 冯培均 |
| 刊名 | 发光学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-7032 |
| 中文摘要 | 用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模光纤耦合对接.波器件在单模光纤中的入纤功率达35μW,是国内已见报道中最高的结果,带宽195MHz.在四次群传输实验中,无中继传输距由大于20公里. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105980]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭康瑾,陈启玙,徐少华,等. 高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究[J]. 发光学报,1992(02). |
| APA | 郭康瑾.,陈启玙.,徐少华.,陈瑞璋.,张晓平.,...&冯培均.(1992).高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究.发光学报(02). |
| MLA | 郭康瑾,et al."高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究".发光学报 .02(1992). |
入库方式： OAI收割
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