高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡旭宏 ; 张敏 ; 俞波 ; 黄焕章 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术。建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层、２．５微米本征外延层、双阱、基区、多晶硅发射区、深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉｃＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。优化设计了高性能该电路。当负载电容为２．０ｐＦ时，该电路的延迟时间为１．２ｎｓ，ＢｉＣＭＯＳ宏单元的传输速度比同类ＣＭＯＳ电路有所提高，这套制造技术适合于１．２～２．０μｍ ＢｉＣＭＯＳ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105981]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡旭宏,张敏,俞波,等. 高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化[J]. 电子学报,1998(02). |
| APA | 胡旭宏,张敏,俞波,&黄焕章.(1998).高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化.电子学报(02). |
| MLA | 胡旭宏,et al."高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化".电子学报 .02(1998). |
入库方式： OAI收割
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