高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘家洲 ; 陈意桥 ; 税琼 ; 南矿军 ; 李爱珍 ; 张永刚 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器,器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA,反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps,下降时间为30.45ps,半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105982]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘家洲,陈意桥,税琼,等. 高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制[J]. 功能材料与器件学报,2002(01). |
| APA | 刘家洲,陈意桥,税琼,南矿军,李爱珍,&张永刚.(2002).高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 刘家洲,et al."高性能In_(0.53)Ga_(0.47)AsPIN光电探测器的研制".功能材料与器件学报 .01(2002). |
入库方式： OAI收割
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