高性能通道式电子倍增器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高培德 ; 毕联训 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 10074252 |
| 中文摘要 | 采用化学涂层和焙烧的方法制成了高性能通道式电子倍增器（ＣＥＭ）。测试结果表明工作电压在２５００Ｖ时增益可达１０￣８、暗计数为０ｃ／６０ｓ和脉冲分布为２０－５０％。把它们替代进口的俄歇电子能谱和扫描电子显微镜中的ＣＥＭ部件，能良好工作一年以上，本文给出了与其有关的ＡＥＳ图谱和ＳＥＭ照片。结果表明该通道式电子倍增器在性能、质量和价格方面均具有很大的竞争力。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105983]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高培德,毕联训. 高性能通道式电子倍增器[J]. 功能材料与器件学报,1996(04). |
| APA | 高培德,&毕联训.(1996).高性能通道式电子倍增器.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 高培德,et al."高性能通道式电子倍增器".功能材料与器件学报 .04(1996). |
入库方式： OAI收割
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