高压合成磷化铟
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭礼同 ; 章敏权 ; 胡雨生 ; 方敦辅 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 采用高压温度梯度冷凝法,由元素锢和红磷直接合成纯度磷化铟多晶。每次合成1小时,可得多晶300克。典型纯度磷化铟多晶的电学性质为: n_77K=3.79～15×10~15/cm~3 μ_77K=1·94～2.94×10~4cm~2/V·s 硅和硫是合成中引起沾污的主要杂质。化学分析表明:所得多晶组份接近化学配比,能满足用LEC法拉制各种掺杂或不掺杂磷化铟单晶的要求。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105985]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭礼同,章敏权,胡雨生,等. 高压合成磷化铟[J]. 稀有金属,1982(06). |
| APA | 谭礼同,章敏权,胡雨生,&方敦辅.(1982).高压合成磷化铟.稀有金属(06). |
| MLA | 谭礼同,et al."高压合成磷化铟".稀有金属 .06(1982). |
入库方式： OAI收割
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