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功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响

文献类型:期刊论文

作者刘新福 ; 李琼 ; 徐静芳 ; 范忠 ; 陈春辉 ; 柳襄怀 ; 杨根庆
刊名华东师范大学学报(自然科学版)
出版日期1997
期号02
关键词K1 覆盖膜 场发射阵列 电子发射
ISSN号1000-5641
其他题名T1 功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响
中文摘要为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列(FEA)覆盖材料,我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜,薄膜淀积采用离子束辅助淀积(IBAD)以及其它淀积技术。在10~-6Pa下测量具有不同覆盖膜的硅FEA二极管的I-V特性,测量结果表明除Au和Mo外,其它覆盖材料都对FEA电子发射性能有改进,经TaN覆盖的FEA发射电流最大。由F-N曲线估算出有效表面功函数和有效发射面积,从而说明以上所得的实验结果。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105993]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘新福,李琼,徐静芳,等. 功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响[J]. 华东师范大学学报(自然科学版),1997(02).
APA 刘新福.,李琼.,徐静芳.,范忠.,陈春辉.,...&杨根庆.(1997).功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响.华东师范大学学报(自然科学版)(02).
MLA 刘新福,et al."功能覆盖膜对场发射阵列(FEA)电子发射性能的影响".华东师范大学学报(自然科学版) .02(1997).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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