固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 房华 ; 李炳宗 ; 吴卫军 ; 邵凯 ; 姜国宝 ; 顾志光 ; 黄维宁 ; 刘平 ; 周祖尧 ; 朱剑豪 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级， |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106003]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 房华,李炳宗,吴卫军,等. 固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究[J]. 半导体学报,1996(04). |
| APA | 房华.,李炳宗.,吴卫军.,邵凯.,姜国宝.,...&朱剑豪.(1996).固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究.半导体学报(04). |
| MLA | 房华,et al."固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究".半导体学报 .04(1996). |
入库方式： OAI收割
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