光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈自姚 ; 邵永富 ; 朱福英 ; 彭瑞伍 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文详细报道了用光电化学法测量Al含量的装置、原理以及原位测量GaAlAs层中Al含量的纵向分布结果,并与双晶衍射、俄歇分析和光吸收法结果作了比较,结合电化学c—V技术获得了GaAlAs/GaAs多层结构材料的完整纵向分布,包括各层厚度、导电类型、载流子浓度、禁带宽度以及组分分布.为研究激光器、太阳电池等器件提供了一种综合性的材料测试方法. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106029]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈自姚,邵永富,朱福英,等. 光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布[J]. 半导体学报,1985(02). |
| APA | 陈自姚,邵永富,朱福英,&彭瑞伍.(1985).光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布.半导体学报(02). |
| MLA | 陈自姚,et al."光电化学法测量GaAlAs/GaAs多层结构材料中Al组分分布".半导体学报 .02(1985). |
入库方式： OAI收割
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