光电化学法测量N型半导体材料扩散长度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邵永富 ; 陈自姚 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1986 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文提出的拟合法是以光响应作为αW和αL_p的函数,在知道α的情况下,拟合曲线求得L_p值.结合外推法,反过来校正α值,似可以补充外推法的不足和得出较正确的L_p值.我们分别采用拟合和外推两种方法测定扩散长度L_p,已测得的各种半导体材料扩散长度分别为GaP(N_D=3.9 × 10~(19)cm~(-3))L_p= 0.036μm,GaAs(N_D=7 ×10~(17)cm~(-3))L_p=0.8μm,GaAlA_s(N_D=8 ×10~(16)cm~(-3))L_p=0.1μm. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106030]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邵永富,陈自姚. 光电化学法测量N型半导体材料扩散长度[J]. 半导体学报,1986(04). |
| APA | 邵永富,&陈自姚.(1986).光电化学法测量N型半导体材料扩散长度.半导体学报(04). |
| MLA | 邵永富,et al."光电化学法测量N型半导体材料扩散长度".半导体学报 .04(1986). |
入库方式： OAI收割
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