光通信用快速高辐射度发光二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 逄永秀 ; 程宗权 ; 富小妹 ; 王惠民 ; 潘慧珍 |
| 刊名 | 通信学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-436X |
| 中文摘要 | 制成了用于光通信的快速、高辐射度GaAs/GaAlAs双异质结发光二极管(DHLED)。该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。其频响大于60MHz。最高辐射度为1017W/sr·cm~2。在150mA下尾纤输出功率达118μW,与光纤的耦合效率为11％(纤维芯径为φ=60μm,数值孔径为NA=0.17)。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106039]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 逄永秀,程宗权,富小妹,等. 光通信用快速高辐射度发光二极管[J]. 通信学报,1982(02). |
| APA | 逄永秀,程宗权,富小妹,王惠民,&潘慧珍.(1982).光通信用快速高辐射度发光二极管.通信学报(02). |
| MLA | 逄永秀,et al."光通信用快速高辐射度发光二极管".通信学报 .02(1982). |
入库方式： OAI收割
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