光照对阈值电压均匀性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱朝嵩 ; 夏冠群 ; 李传海 ; 詹琰 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响 .结果表明光照使耗尽型 MESFET器件的沟道电流增大 ,使阈值电压向负方向增加 ,并提高了阈值电压的均匀性 .研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响 MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一 ,而光照在一定程度上减弱了这一影响 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106051]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱朝嵩,夏冠群,李传海,等. 光照对阈值电压均匀性的影响[J]. 半导体学报,2002(02). |
| APA | 朱朝嵩,夏冠群,李传海,&詹琰.(2002).光照对阈值电压均匀性的影响.半导体学报(02). |
| MLA | 朱朝嵩,et al."光照对阈值电压均匀性的影响".半导体学报 .02(2002). |
入库方式： OAI收割
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