硅表面二氧化硅的氩离子溅射产额的测定
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王迅 ; 林荣富 ; 吴则嘉 ; 钮成法 ; 罗兴华 ; 董锡威 ; 高培德 ; 章纯思 ; 张永福 ; 包伟国 |
| 刊名 | 真空科学与技术
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| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 对美国测试与材料学会提供的二氧化硅标准样品,用四台电子能谱仪进行了氩离子对二氧化硅的溅射产额的会测。在1KeV、3KeV 和5KeV 离子能量下,溅射速率均与离子流密度成线性关系。而溅射产额与离子能量的关系在1～5KeV 的范围内是随能量增加而增大。在入射角为52°的情形,氩离子对二氧化硅的产额值是:0.94分子/离子(1KeV)、1.09分子/离子(3KeV)和1.25分子/离子(SKeV)。在1KeV 的情况下,52°入射角时的产额约为正入射时的2.4倍。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106054]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王迅,林荣富,吴则嘉,等. 硅表面二氧化硅的氩离子溅射产额的测定[J]. 真空科学与技术,1981(04). |
| APA | 王迅.,林荣富.,吴则嘉.,钮成法.,罗兴华.,...&包伟国.(1981).硅表面二氧化硅的氩离子溅射产额的测定.真空科学与技术(04). |
| MLA | 王迅,et al."硅表面二氧化硅的氩离子溅射产额的测定".真空科学与技术 .04(1981). |
入库方式： OAI收割
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