硅衬底中缺陷的控制和利用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 许康 ; 王为林 ; 史遵兰 ; 罗桂昌 ; 何德湛 ; 邵海文 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 衬底硅中缺陷的控制和利用对半导体器件,尤其是LSI、VLSI电路极为重要。本文报道了有关这方面研究的一些实验结果。与未经处理的硅片相比,用IG法处理过的硅片,其n+p结的漏电流和MOS产生寿命可分别改善1—3和1—2个数量级,而用CCG法处理过的二极管的合格率可提高将近2倍。为了满足LSI、VLSI电路对衬底质量提出日益苛刻的要求,作者认为应联合实行两种或多种缺陷控制方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106055]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许康,王为林,史遵兰,等. 硅衬底中缺陷的控制和利用[J]. 电子科学学刊,1988(03). |
| APA | 许康,王为林,史遵兰,罗桂昌,何德湛,&邵海文.(1988).硅衬底中缺陷的控制和利用.电子科学学刊(03). |
| MLA | 许康,et al."硅衬底中缺陷的控制和利用".电子科学学刊 .03(1988). |
入库方式： OAI收割
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