硅化结形成技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄焕章 ; 张敏 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1003353X |
| 中文摘要 | 详细地讨论和比较了三大类硅化结形成方法（ＰＪＳ，ＤＤＯ，ＩＴＭ）特别是后两种方法的原理及优、缺点，并分析了硅化结形成方法的未来发展趋势。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106061]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄焕章,张敏. 硅化结形成技术[J]. 半导体技术,1996(05). |
| APA | 黄焕章,&张敏.(1996).硅化结形成技术.半导体技术(05). |
| MLA | 黄焕章,et al."硅化结形成技术".半导体技术 .05(1996). |
入库方式： OAI收割
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