硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方芳 ; S.S.Lau |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用离子束混合Si(700A)/C样品,在天然Ⅱb型金刚石上形成了梯度能带接触。选用Ge~+为注入离子,在能量120keV,剂量2.0×10~(16)cm~(-2),温度700℃下进行离子束混合。Rutherford背散射显示:有3—4％的Si与金刚石混合。红外吸收谱发现了Si—C键的形成,这表明形成了Si/SiC/C的梯度结构。Ⅰ—Ⅴ特性说明了离子束混合和高温热退火有助于欧姆接触的形成。而没有经过离子束混合的样品显示了Ⅰ—Ⅴ开路特性。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106067]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方芳,S.S.Lau. 硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触[J]. 半导体学报,1990(06). |
| APA | 方芳,&S.S.Lau.(1990).硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触.半导体学报(06). |
| MLA | 方芳,et al."硅-金刚石系统的离子束混合和欧姆接触".半导体学报 .06(1990). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。