硅全离子注入的GaAs双栅MESFET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王渭源 ; 卢建国 ; 乔墉 ; 周永泉 ; 夏冠群 ; 邵永富 ; 杨新民 ; 陈自姚 ; 罗潮渭 ; 詹千宝 ; 王文骐 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝栅1.5×300μm,Au-Ge-Ni为欧姆接触.器件用简化的陶瓷管壳或塑料封装.器件工作参数V_(DS)4V,V_(Q_1S)～-2V,V_(Q_2S)～0,实测1GH_2下最佳NF_(min)0.8db,Ga11.5db,与优质VPE材料制管有相同的结果.讨论了全离子注入的优越性 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106069]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王渭源,卢建国,乔墉,等. 硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J]. 应用科学学报,1983(04). |
| APA | 王渭源.,卢建国.,乔墉.,周永泉.,夏冠群.,...&王文骐.(1983).硅全离子注入的GaAs双栅MESFET.应用科学学报(04). |
| MLA | 王渭源,et al."硅全离子注入的GaAs双栅MESFET".应用科学学报 .04(1983). |
入库方式： OAI收割
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