硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈庆贵 ; 宋志庆 ; 史日华 ; 蔡希介 |
| 刊名 | 仪器制造
 |
| 出版日期 | 1984 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1002-1841 |
| 中文摘要 | <正> 一、前言由于集成电路和微波半导体器件的发展,要求硅外延片的外延层薄,界面杂质浓度分布陡。通常采用的四氯化硅氢还原法是不能满足这个要求的。硅烷热分解反应法却能满足,因为其反应温度较低(950～1050℃),反应是不可逆的,没有副产物,可减轻自掺杂,能获得很陡的杂质分布,可得到电阻率均匀的1微米左右的薄外延膜。对于异质外延,在尖晶石上外延硅的实验证明:四氯化硅有腐蚀作用,只能用硅烷热分解法。在蓝宝石上硅烷热分解法生成的硅膜,其孪晶缺陷低于四氯化硅沉积生长的硅膜。生成 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106075]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈庆贵,宋志庆,史日华,等. 硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备[J]. 仪器制造,1984(03). |
| APA | 陈庆贵,宋志庆,史日华,&蔡希介.(1984).硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备.仪器制造(03). |
| MLA | 陈庆贵,et al."硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备".仪器制造 .03(1984). |
入库方式： OAI收割
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