硅烷外延生长速率和衬底取向的关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章熙康 ; 顾隆道 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 用硅烷热分解方法生长硅膜时,硅膜的生长速率与衬底取向及材料无关.不同衬底在低温区具有相同的生长激活能.作者认为硅烷外延生长和四氯化硅外延不同,其生长机制是硅烷气相分解产物通过滞流层向衬底的定向扩散并在衬底上堆积. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106076]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章熙康,顾隆道. 硅烷外延生长速率和衬底取向的关系[J]. 应用科学学报,1988(01). |
| APA | 章熙康,&顾隆道.(1988).硅烷外延生长速率和衬底取向的关系.应用科学学报(01). |
| MLA | 章熙康,et al."硅烷外延生长速率和衬底取向的关系".应用科学学报 .01(1988). |
入库方式： OAI收割
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