硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张苗 ; 多新中 ; 林梓鑫 ; 周祖尧 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 将１×１０１７／ｃｍ２的氦离子以３５ｋｅＶ的能量注入到单晶硅中，在硅表层下面形成纳米空腔。将１×１０１７／ｃｍ２的氧离子注入到空腔层的下方。用ＲＢＳ／Ｃ、ＳＲＰ及ＸＴＥＭ等测试手段对样品进行研究。结果表明，纳米空腔对氧有强烈的吸附作用，１００００Ｃ退火后氧从原注入位置释放，并被空腔俘获，形成含纳米孔的氧化埋层。氧与空腔的互作用抑制了纳米空腔的迁移、聚合。利用这一现象有望制备出纳米氧化埋层ＳＩＭＯＸ材料。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106082]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,多新中,林梓鑫,等. 硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究[J]. 功能材料与器件学报,1998(01). |
| APA | 张苗,多新中,林梓鑫,周祖尧,&林成鲁.(1998).硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 张苗,et al."硅中氦氧共注入纳米孔氧化埋层的研究".功能材料与器件学报 .01(1998). |
入库方式： OAI收割
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