硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 施天生 ; 白国仁 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论. |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106083]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 施天生,白国仁. 硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用[J]. 半导体学报,1989(07). |
| APA | 施天生,&白国仁.(1989).硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用.半导体学报(07). |
| MLA | 施天生,et al."硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用".半导体学报 .07(1989). |
入库方式： OAI收割
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