硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张苗 ; 林成鲁 ; 陈立凡 ; 王鲁闽 ; K．Gutjahr ; U．M．Gosele |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 将中等剂量的H+注入到硅单晶中，并结合硅片低温键合及后续热处理形成了智能剥离SOI新材料。用热波分析技术对注H+片的剥离现象进行了无损非接触检测研究。采用剖面透射电子显微镜与高分辨率透射电子显微镜等手段对这种SOI材料的微结构进行了分析。研究表明，智能剥离SOI是一种可通过较简单的工艺获得高质量SOI材料的新途径。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106087]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗,林成鲁,陈立凡,等. 硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析[J]. 固体电子学研究与进展,1998(02). |
| APA | 张苗,林成鲁,陈立凡,王鲁闽,K．Gutjahr,&U．M．Gosele.(1998).硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析.固体电子学研究与进展(02). |
| MLA | 张苗,et al."硅中注H~+的退火行为及智能剥离SOI新材料的微结构分析".固体电子学研究与进展 .02(1998). |
入库方式： OAI收割
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