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硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

文献类型:期刊论文

作者多新中 ; 刘卫丽 ; 张苗 ; 高剑侠 ; 符晓荣 ; 林成鲁
刊名核技术
出版日期2000
期号03
ISSN号31-1342/TL
中文摘要用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解;形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错,同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106088]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
多新中,刘卫丽,张苗,等. 硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响[J]. 核技术,2000(03).
APA 多新中,刘卫丽,张苗,高剑侠,符晓荣,&林成鲁.(2000).硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响.核技术(03).
MLA 多新中,et al."硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响".核技术 .03(2000).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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