含氮CZ-Si中N-N对的退火行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 祁明维 ; 谭淞生 ; 朱斌 ; 蔡培新 ; 顾为芳 ; 许学敏 ; 施天生 ; 阙端麟 ; 李立本 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 我们发现含氮CZ-Si单晶中N-N对具有独特的等时退火行为,可划分成如下三个阶段:在400—600℃温区,N-N对的等时退火行为是不可逆的,而600—800℃温区是可逆的,大于800℃氮开始产生沉淀.我们还发现450℃预处理可加速在高温时氮的沉淀速率.本文对上述实验结果给予详细的讨论. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106105]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祁明维,谭淞生,朱斌,等. 含氮CZ-Si中N-N对的退火行为[J]. 半导体学报,1991(04). |
| APA | 祁明维.,谭淞生.,朱斌.,蔡培新.,顾为芳.,...&李立本.(1991).含氮CZ-Si中N-N对的退火行为.半导体学报(04). |
| MLA | 祁明维,et al."含氮CZ-Si中N-N对的退火行为".半导体学报 .04(1991). |
入库方式： OAI收割
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