含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡灿明 ; 黄叶肖 ; 叶红娟 ; 沈学础 ; 祁明维 ; 邬建根 ; 李晓雷 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | 报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到三个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106106]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡灿明,黄叶肖,叶红娟,等. 含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究[J]. 红外与毫米波学报,1991(05). |
| APA | 胡灿明.,黄叶肖.,叶红娟.,沈学础.,祁明维.,...&李晓雷.(1991).含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究.红外与毫米波学报(05). |
| MLA | 胡灿明,et al."含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究".红外与毫米波学报 .05(1991). |
入库方式： OAI收割
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