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合金贮氢瓶的超纯氢在彩电集成电路外延工艺中的应用

文献类型:期刊论文

作者何德湛 ; 谢明纲 ; 陈明琪 ; 吴佛春
刊名半导体技术
出版日期1988
期号01
ISSN号1003-353X
中文摘要<正>彩电集成电路(彩电IC)是彩电重要元件,但目前这种元件不少是进口的,因此彩电IC国产化是一项重要的工作.制造彩电IC中的外延工艺需高纯H_2,我们将本所贮氢瓶的超纯氢,用于外延工艺中,效果良好,制造出型号与日立HA11215图象通道相当的彩电IC,并于1985年12月通过了上海市级鉴定.1.工艺简介外延是制造彩电IC起初阶段的一项重要工艺,质量好坏对后面工艺有很大影响.所谓外延就是在原始硅片(n型或P型)上外延一层高电阻率的单晶层.在这个单晶层上可以制造
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106125]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
何德湛,谢明纲,陈明琪,等. 合金贮氢瓶的超纯氢在彩电集成电路外延工艺中的应用[J]. 半导体技术,1988(01).
APA 何德湛,谢明纲,陈明琪,&吴佛春.(1988).合金贮氢瓶的超纯氢在彩电集成电路外延工艺中的应用.半导体技术(01).
MLA 何德湛,et al."合金贮氢瓶的超纯氢在彩电集成电路外延工艺中的应用".半导体技术 .01(1988).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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