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红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度

文献类型:期刊论文

作者梁帮立 ; 夏冠群 ; 黄志明 ; 范叔平 ; 褚君浩
刊名红外与毫米波学报
出版日期2000
期号03
ISSN号1001-9014
中文摘要采用红外椭圆偏振光谱研究了与 Ga Sb衬底近晶格匹配的不同组分 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品位于禁带宽度能量位置之上、附近和之下的室温折射率光谱 .根据禁带宽度能量位置附近的折射率增强效应确定了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y样品的禁带宽度 ,并发现在组分 x=0 .2~ 0 .3之间禁带宽度随组分 x近似于线性变化 .
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106134]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
梁帮立,夏冠群,黄志明,等. 红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度[J]. 红外与毫米波学报,2000(03).
APA 梁帮立,夏冠群,黄志明,范叔平,&褚君浩.(2000).红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度.红外与毫米波学报(03).
MLA 梁帮立,et al."红外椭圆偏振光谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的禁带宽度".红外与毫米波学报 .03(2000).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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