化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张兆春 ; 彭瑞伍 ; 陈念贻 ; 郭进 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ－Ⅴ、Ⅱ－Ⅵ族二元化合物和Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２、Ⅱ－Ⅳ－Ⅴ２族三元化合物半导体的禁带宽度和熔点进行了预报，计算结果与实验结果符合较好 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106141]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兆春,彭瑞伍,陈念贻,等. 化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报[J]. 半导体学报,1998(01). |
| APA | 张兆春,彭瑞伍,陈念贻,&郭进.(1998).化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报.半导体学报(01). |
| MLA | 张兆春,et al."化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报".半导体学报 .01(1998). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。