化合物半导体异质外延层中的缺陷
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱健 ; 施天生 |
| 刊名 | 分析测试通报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 05 |
| 关键词 | K1 异质外延层 微孪晶 砷化镓/硅 碲化镉/砷化镓 |
| ISSN号 | 1004-4957 |
| 其他题名 | T1 化合物半导体异质外延层中的缺陷 |
| 中文摘要 | 本文报道了用MBE方法在Si(100)上生成GaAs和用MOCVD方法在GaAs(100)上生成CdTe的异质外延层中的某些缺陷。用JEM-4000EX和JEM-200CX电镜观察,电子束沿晶体的[011]方向入射,观察到的晶体缺陷运用高分辨像和选区衍射技术进行研究和分析。结果表明CdTe/GaAs中主要缺陷是失配位错及微孪晶,而在GaAs/Si中还含有反相无序。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106142]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱健,施天生. 化合物半导体异质外延层中的缺陷[J]. 分析测试通报,1990(05). |
| APA | 朱健,&施天生.(1990).化合物半导体异质外延层中的缺陷.分析测试通报(05). |
| MLA | 朱健,et al."化合物半导体异质外延层中的缺陷".分析测试通报 .05(1990). |
入库方式： OAI收割
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