激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周斌 ; 王珏 ; 韩明 ; 徐平 ; 沈军 ; 邓忠生 ; 吴广明 ; 张勤远 ; 陈玲燕 ; 王跃林 |
| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 中文摘要 | 研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为 3～ 4 μm ,表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺 ,在Si膜表面引入 2 5μm× 2 5μm的网格图形或线宽为 5μm的条状图形 ,获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响 ,研究了离子束刻蚀参数对刻蚀图形形貌的影响 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106202]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周斌,王珏,韩明,等. 激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜[J]. 原子能科学技术,2001(04). |
| APA | 周斌.,王珏.,韩明.,徐平.,沈军.,...&王跃林.(2001).激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜.原子能科学技术(04). |
| MLA | 周斌,et al."激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜".原子能科学技术 .04(2001). |
入库方式： OAI收割
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