激光在半导体学科中的应用(摘要)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴恒显 ; 林成鲁 ; 林梓鑫 |
| 刊名 | 应用激光
 |
| 出版日期 | 1981 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1000-372X |
| 中文摘要 | <正> 自从1976年国外使用激光对离子注入半导体进行激光退火取得成功以来,它已经成为应用半导体研究中最引人注目的一项课题。半导体的激光处理有以下特点:可以对离子注入后的半导体损伤得到完全恢复而不损伤衬底材料的效果。还可以利用聚焦的激光来扫描,对注入层局部选择退火,这样可大大提高集成电路的密集度。同时在消除损伤,离子注入的电激活率方面都比普通热处理方法好得多。我们于1978年在国内首先研究半导体离子注入激光退火成功,随后在GaAs 材料合金化(欧姆接触)、无定形硅的激光外延再生长,激光幅照太阳能电池提高转 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106209]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴恒显,林成鲁,林梓鑫. 激光在半导体学科中的应用(摘要)[J]. 应用激光,1981(03). |
| APA | 吴恒显,林成鲁,&林梓鑫.(1981).激光在半导体学科中的应用(摘要).应用激光(03). |
| MLA | 吴恒显,et al."激光在半导体学科中的应用(摘要)".应用激光 .03(1981). |
入库方式： OAI收割
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