计算机自动测试硅雪崩二极管
文献类型:期刊论文
作者 | 王德宁 ; 陈瑞璋 ; 陈莲勇 ; 陈启玙 ; 何梁昌 |
刊名 | 半导体技术
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出版日期 | 1983 |
期号 | 02 |
ISSN号 | 1003-353X |
中文摘要 | 本文根据Si-APD二极管的测试要求,设计了暗电流、光电流的采样程序,倍增M、响应度S、量子效率η等计算程序,并设计了专用程序:对数程序、数据处理程序和绘图程序。能满意地测定并绘制反向偏压V~暗电流I_D、反向偏压V~光电流I_(pi)和反向偏压V~倍增M曲线。并对一系列有用参数打成表以备查用。最后对程序设计的参数合理性,数据处理的可靠性作了讨论。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106234] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德宁,陈瑞璋,陈莲勇,等. 计算机自动测试硅雪崩二极管[J]. 半导体技术,1983(02). |
APA | 王德宁,陈瑞璋,陈莲勇,陈启玙,&何梁昌.(1983).计算机自动测试硅雪崩二极管.半导体技术(02). |
MLA | 王德宁,et al."计算机自动测试硅雪崩二极管".半导体技术 .02(1983). |
入库方式: OAI收割
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