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计算机自动测试硅雪崩二极管

文献类型:期刊论文

作者王德宁 ; 陈瑞璋 ; 陈莲勇 ; 陈启玙 ; 何梁昌
刊名半导体技术
出版日期1983
期号02
ISSN号1003-353X
中文摘要本文根据Si-APD二极管的测试要求,设计了暗电流、光电流的采样程序,倍增M、响应度S、量子效率η等计算程序,并设计了专用程序:对数程序、数据处理程序和绘图程序。能满意地测定并绘制反向偏压V~暗电流I_D、反向偏压V~光电流I_(pi)和反向偏压V~倍增M曲线。并对一系列有用参数打成表以备查用。最后对程序设计的参数合理性,数据处理的可靠性作了讨论。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106234]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
王德宁,陈瑞璋,陈莲勇,等. 计算机自动测试硅雪崩二极管[J]. 半导体技术,1983(02).
APA 王德宁,陈瑞璋,陈莲勇,陈启玙,&何梁昌.(1983).计算机自动测试硅雪崩二极管.半导体技术(02).
MLA 王德宁,et al."计算机自动测试硅雪崩二极管".半导体技术 .02(1983).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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