溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑里平 ; 崔福斋 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 用物理溅射的Monte Carlo模拟程序TCISIS,研究了在O~+离子与Ar~+离子轰击下Al靶与Si靶的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.讨论了离子束溅射横向可达分辨率的物理限制.所计算的溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布的宽度,对于离子束溅射刻蚀的微细加工和SLMS设计是有参考价值的.计算的溅射原子的逃逸深度分布表明,溅射原子的大多数来自于表面前2个原子层. |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106256]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑里平,崔福斋. 溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布[J]. 半导体学报,1988(03). |
| APA | 郑里平,&崔福斋.(1988).溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布.半导体学报(03). |
| MLA | 郑里平,et al."溅射原子的初始位置分布和表面出口位置分布".半导体学报 .03(1988). |
入库方式： OAI收割
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