交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 毛敏耀 ; 金晓峰 ; 王添平 ; 解健芳 ; 章熙康 ; 谭淞生 ; 王渭源 ; 庄志诚 |
| 刊名 | 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)
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| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1006-9232 |
| 中文摘要 | 报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO_2衬底上首次实现了>10~8cm~(-2)的金刚石成核。实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106263]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛敏耀,金晓峰,王添平,等. 交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究[J]. 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学),1995(05). |
| APA | 毛敏耀.,金晓峰.,王添平.,解健芳.,章熙康.,...&庄志诚.(1995).交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究.中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)(05). |
| MLA | 毛敏耀,et al."交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究".中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) .05(1995). |
入库方式： OAI收割
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