界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 茅东升 ; 赵俊 ; 李炜 ; 王曦 ; 柳襄怀 ; 诸玉坤 ; 范忠 ; 周江云 ; 李琼 ; 徐静芳 |
| 刊名 | 中国科学E辑:技术科学
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| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | CN 11-3757/N |
| 中文摘要 | 在Au/Si和Ti/Si和Si 3种不同的衬底材料上 ,通过真空磁过滤弧源沉积技术制备了无氢高sp3 键含量非晶金刚石薄膜 (amorphousdiamond ,AD) .使用阳极覆盖有低压荧光粉的二极管型结构 ,对其电子场发射性能和荧光显示进行了研究 .测试表明 ,衬底过渡层对非晶金刚石薄膜的场发射行为产生重大的影响 .通过二次离子质谱 (SIMS)测试分析了AD/Ti/Si和AD/Si中界面的成分分布 .由于Ti和C之间的互扩散和反应 ,存在一定的浓度梯度 ,形成了衬底和AD薄膜之间良好的接触 ,有效 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106277]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 茅东升,赵俊,李炜,等. 界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响[J]. 中国科学E辑:技术科学,1999(06). |
| APA | 茅东升.,赵俊.,李炜.,王曦.,柳襄怀.,...&徐静芳.(1999).界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响.中国科学E辑:技术科学(06). |
| MLA | 茅东升,et al."界面过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响".中国科学E辑:技术科学 .06(1999). |
入库方式： OAI收割
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