界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张兴宏 ; 程知群 ; 夏冠群 ; 徐元森 ; 杨玉芬 ; 王占国 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 11 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 本文利用高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴ 直流输出特性的影响．考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对ＨＥＭＴ的ＩＶ特性和器件跨导的影响．我们的研究结果表明随着界面态密度的增加，栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106279]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兴宏,程知群,夏冠群,等. 界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响[J]. 半导体学报,1999(11). |
| APA | 张兴宏,程知群,夏冠群,徐元森,杨玉芬,&王占国.(1999).界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响.半导体学报(11). |
| MLA | 张兴宏,et al."界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响".半导体学报 .11(1999). |
入库方式： OAI收割
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