金刚石高成核选择比图形化技术
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王效东 ; 毛敏耀 ; 王渭源 |
| 刊名 | 微细加工技术
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1003-8213 |
| 中文摘要 | 报道了一种新的金刚石薄膜选择生长图形化技术。首先用直流偏压增强的微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）对图形区域（Ｓｉ）高密度金刚石成核，接着对掩模区域（ＳｉＯ２）进行一次化学浅腐蚀，然后正常生长金刚石薄膜，得到表面光滑、侧壁陡直的金刚石精细图形。用该技术制作了金刚石微马达结构，其厚度为２μｍ，转子直径１５０μｍ。图形间隙可控制至１－２μｍ。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106288]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王效东,毛敏耀,王渭源. 金刚石高成核选择比图形化技术[J]. 微细加工技术,1998(04). |
| APA | 王效东,毛敏耀,&王渭源.(1998).金刚石高成核选择比图形化技术.微细加工技术(04). |
| MLA | 王效东,et al."金刚石高成核选择比图形化技术".微细加工技术 .04(1998). |
入库方式： OAI收割
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